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Artigo de periodico
Formation of Ti(III) and Ti(IV) states in 'Ti IND. 3''O IND. 5' nano- and microfibers obtained from hydrothermal annealing of C-doped 'TiO IND. 2' on Si (2014)
Stem, Nair; Souza, Michele Lemos de; Faria, Dalva Lúcia Araújo de ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Thin Solid Films. Unidades: IQ, EP
Assunto: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
STEM, Nair et al. Formation of Ti(III) and Ti(IV) states in 'Ti IND. 3''O IND. 5' nano- and microfibers obtained from hydrothermal annealing of C-doped 'TiO IND. 2' on Si. Thin Solid Films, v. 558, p. 67-74, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.077. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., Souza, M. L. de, Faria, D. L. A. de, & Santos Filho, S. G. dos. (2014). Formation of Ti(III) and Ti(IV) states in 'Ti IND. 3''O IND. 5' nano- and microfibers obtained from hydrothermal annealing of C-doped 'TiO IND. 2' on Si. Thin Solid Films, 558, 67-74. doi:10.1016/j.tsf.2014.02.077
NLM
Stem N, Souza ML de, Faria DLA de, Santos Filho SG dos. Formation of Ti(III) and Ti(IV) states in 'Ti IND. 3''O IND. 5' nano- and microfibers obtained from hydrothermal annealing of C-doped 'TiO IND. 2' on Si [Internet]. Thin Solid Films. 2014 ; 558 67-74.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.077
Vancouver
Stem N, Souza ML de, Faria DLA de, Santos Filho SG dos. Formation of Ti(III) and Ti(IV) states in 'Ti IND. 3''O IND. 5' nano- and microfibers obtained from hydrothermal annealing of C-doped 'TiO IND. 2' on Si [Internet]. Thin Solid Films. 2014 ; 558 67-74.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.077
Artigo de periodico
Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers (2010)
Stem, Nair; Ramos, Carlos Alberto Santos; Sánchez, Manuel Cid
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELÉTRICOS, CÉLULAS SOLARES
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ABNT
STEM, Nair e RAMOS, Carlos Alberto Santos e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers. Solid-State Electronics, v. 54, n. 3, p. 221-225, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., Ramos, C. A. S., & Sánchez, M. C. (2010). Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers. Solid-State Electronics, 54( 3), 221-225. doi:10.1016/j.sse.2009.09.002
NLM
Stem N, Ramos CAS, Sánchez MC. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ; 54( 3): 221-225.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002
Vancouver
Stem N, Ramos CAS, Sánchez MC. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ; 54( 3): 221-225.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002
Artigo de periodico
Nano-crystalline palladium-film catalysts deposited by e-beam evaporation aiming hydrogen sensing (2010)
Stem, Nair; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: ELEMENTOS DE TRANSIÇÃO, SEMICONDUTORES
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ABNT
STEM, Nair e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Nano-crystalline palladium-film catalysts deposited by e-beam evaporation aiming hydrogen sensing. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 171-178, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474156. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Nano-crystalline palladium-film catalysts deposited by e-beam evaporation aiming hydrogen sensing. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 171-178. doi:10.1149/1.3474156
NLM
Stem N, Santos Filho SG dos. Nano-crystalline palladium-film catalysts deposited by e-beam evaporation aiming hydrogen sensing [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 171-178.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474156
Vancouver
Stem N, Santos Filho SG dos. Nano-crystalline palladium-film catalysts deposited by e-beam evaporation aiming hydrogen sensing [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 171-178.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474156
Artigo de periodico
Carbon-modified titanium dioxide deposited by e-beam aiming hydrogen sensing (2010)
Stem, Nair; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
STEM, Nair e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Carbon-modified titanium dioxide deposited by e-beam aiming hydrogen sensing. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 433-439, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474189. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Carbon-modified titanium dioxide deposited by e-beam aiming hydrogen sensing. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 433-439. doi:10.1149/1.3474189
NLM
Stem N, Santos Filho SG dos. Carbon-modified titanium dioxide deposited by e-beam aiming hydrogen sensing [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 433-439.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474189
Vancouver
Stem N, Santos Filho SG dos. Carbon-modified titanium dioxide deposited by e-beam aiming hydrogen sensing [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 433-439.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474189
Artigo de periodico
Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells (2009)
Sánchez, Manuel Cid; Stem, Nair
Source: Materials Research. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
SÁNCHEZ, Manuel Cid e STEM, Nair. Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells. Materials Research, v. 12, n. ja/mar. 2009, p. 57-62, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s1516-14392009000100006. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sánchez, M. C., & Stem, N. (2009). Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells. Materials Research, 12( ja/mar. 2009), 57-62. doi:10.1590/s1516-14392009000100006
NLM
Sánchez MC, Stem N. Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2009 ; 12( ja/mar. 2009): 57-62.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392009000100006
Vancouver
Sánchez MC, Stem N. Phosphorus emitter and metal - grid optimization for homogeneous (n+p) and double-diffused (n++n+p) emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2009 ; 12( ja/mar. 2009): 57-62.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392009000100006
Trabalho de evento
Thermal oxide passivation by corona charges (2008)
Ramos, Carlos Alberto Santos; Sanchez, Manuel Cid; Onmori, Roberto Koji ; Stem, Nair
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Carlos Alberto Santos et al. Thermal oxide passivation by corona charges. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2956071. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Ramos, C. A. S., Sanchez, M. C., Onmori, R. K., & Stem, N. (2008). Thermal oxide passivation by corona charges. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2956071
NLM
Ramos CAS, Sanchez MC, Onmori RK, Stem N. Thermal oxide passivation by corona charges [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956071
Vancouver
Ramos CAS, Sanchez MC, Onmori RK, Stem N. Thermal oxide passivation by corona charges [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956071
Tese (Doutorado)
Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo (2007)
Stem, Nair; Cid Sánchez, Manuel (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
STEM, Nair. Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-113959/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N. (2007). Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-113959/
NLM
Stem N. Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-113959/
Vancouver
Stem N. Células solares de silício de alto rendimento: otimizações teóricas e implementações experimentais utilizando processos de baixo custo [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-113959/
Artigo de periodico
Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells (2004)
Stem, Nair; Sánchez, Manuel Cid
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELÉTRICOS, CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEM, Nair e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells. Solid-State Electronics, v. fe 2004, n. 2, p. 197-205, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., & Sánchez, M. C. (2004). Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells. Solid-State Electronics, fe 2004( 2), 197-205. doi:10.1016/j.sse.2003.08.005
NLM
Stem N, Sánchez MC. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells [Internet]. Solid-State Electronics. 2004 ; fe 2004( 2): 197-205.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005
Vancouver
Stem N, Sánchez MC. Physical limitations for homogeneous and highly doped n-type emitter monocrystalline silicon solar cells [Internet]. Solid-State Electronics. 2004 ; fe 2004( 2): 197-205.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.08.005
Artigo de periodico
Homogeneous gaussian profile p+-type emitters: updated parameters and metal-grid optimization (2002)
Sánchez, Manuel Cid; Stem, Nair
Source: Materials Research. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, LIGAS METÁLICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÁNCHEZ, Manuel Cid e STEM, Nair. Homogeneous gaussian profile p+-type emitters: updated parameters and metal-grid optimization. Materials Research, v. 5, n. 4, p. 427-432, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/mr/v5n4/13273.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sánchez, M. C., & Stem, N. (2002). Homogeneous gaussian profile p+-type emitters: updated parameters and metal-grid optimization. Materials Research, 5( 4), 427-432. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/mr/v5n4/13273.pdf
NLM
Sánchez MC, Stem N. Homogeneous gaussian profile p+-type emitters: updated parameters and metal-grid optimization [Internet]. Materials Research. 2002 ; 5( 4): 427-432.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/mr/v5n4/13273.pdf
Vancouver
Sánchez MC, Stem N. Homogeneous gaussian profile p+-type emitters: updated parameters and metal-grid optimization [Internet]. Materials Research. 2002 ; 5( 4): 427-432.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/mr/v5n4/13273.pdf
Artigo de periodico
Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells (2001)
Stem, Nair; Sánchez, Manuel Cid
Source: Materials Research. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEM, Nair e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells. Materials Research, v. 4, n. 2, p. 143-148, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., & Sánchez, M. C. (2001). Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells. Materials Research, 4( 2), 143-148. doi:10.1590/s1516-14392001000200018
NLM
Stem N, Sánchez MC. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2001 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018
Vancouver
Stem N, Sánchez MC. Studies of phosphorus gaussian profile emitter silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 2001 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392001000200018
Artigo de periodico
Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells (1998)
Sánchez, Manuel Cid; Stem, Nair; Brunetti, Cláudia; Beloto, Antonio Fernando; Ramos, Carlos Alberto Santos
Source: Materials Research. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÁNCHEZ, Manuel Cid et al. Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells. Materials Research, v. 4, n. 2, p. 143-148, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(98)00499-x. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sánchez, M. C., Stem, N., Brunetti, C., Beloto, A. F., & Ramos, C. A. S. (1998). Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells. Materials Research, 4( 2), 143-148. doi:10.1016/s0257-8972(98)00499-x
NLM
Sánchez MC, Stem N, Brunetti C, Beloto AF, Ramos CAS. Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 1998 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(98)00499-x
Vancouver
Sánchez MC, Stem N, Brunetti C, Beloto AF, Ramos CAS. Improvements in anti-reflection coatings for high-efficiency silicon solar cells [Internet]. Materials Research. 1998 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(98)00499-x
Dissertação (Mestrado)
Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação (1998)
Stem, Nair; Cid Sánchez, Manuel (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEM, Nair. Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052012-112927/. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N. (1998). Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052012-112927/
NLM
Stem N. Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação [Internet]. 1998 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052012-112927/
Vancouver
Stem N. Análise teórica de emissores homogêneos (n+) e duplamente difundidos (n+n++) em células solares de silício: implementações ao processo de fabricação [Internet]. 1998 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052012-112927/
Artigo de periodico
Desenvolvimento de camadas antirefletoras para utilização em células solares de silício de uso espacial (1997)
Sánchez, Manuel Cid; Stem, Nair; Brunetti, Cláudia; Beloto, Antonio Fernando; Ramos, Carlos Alberto Santos
Source: Materials Research. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÁNCHEZ, Manuel Cid et al. Desenvolvimento de camadas antirefletoras para utilização em células solares de silício de uso espacial. Materials Research, v. 4, n. 2, p. 143-148, 1997Tradução . . Disponível em: http://www2.fc.unesp.br/rbav/index.php/rbav/article/viewFile/294/279. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sánchez, M. C., Stem, N., Brunetti, C., Beloto, A. F., & Ramos, C. A. S. (1997). Desenvolvimento de camadas antirefletoras para utilização em células solares de silício de uso espacial. Materials Research, 4( 2), 143-148. Recuperado de http://www2.fc.unesp.br/rbav/index.php/rbav/article/viewFile/294/279
NLM
Sánchez MC, Stem N, Brunetti C, Beloto AF, Ramos CAS. Desenvolvimento de camadas antirefletoras para utilização em células solares de silício de uso espacial [Internet]. Materials Research. 1997 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www2.fc.unesp.br/rbav/index.php/rbav/article/viewFile/294/279
Vancouver
Sánchez MC, Stem N, Brunetti C, Beloto AF, Ramos CAS. Desenvolvimento de camadas antirefletoras para utilização em células solares de silício de uso espacial [Internet]. Materials Research. 1997 ; 4( 2): 143-148.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www2.fc.unesp.br/rbav/index.php/rbav/article/viewFile/294/279
Trabalho de evento
Highly doped-type silicon theoretical optimization (1997)
Stem, Nair; Cid Sánchez, Manuel
Source: Proceedings. Conference titles: SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference. Unidade: EP
Assunto: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STEM, Nair e CID SÁNCHEZ, Manuel. Highly doped-type silicon theoretical optimization. 1997, Anais.. Piscataway: IEEE, 1997. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Stem, N., & Cid Sánchez, M. (1997). Highly doped-type silicon theoretical optimization. In Proceedings. Piscataway: IEEE.
NLM
Stem N, Cid Sánchez M. Highly doped-type silicon theoretical optimization. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Stem N, Cid Sánchez M. Highly doped-type silicon theoretical optimization. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 27 ]

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